Samsung và Qualcomm đã chính thức công bố sản xuất Snapdragon 835 với công nghệ FinFET trên tiến trình 10nm của Samsung. Đồng thời Qualcomm còn giới thiệu công nghệ sạc nhanh QuickCharge 4.0, "sạc 5 phút xài 5 tiếng".
 

Các thiết bị sử dụng Snapdragon 835 đầu tiên sẽ ra mắt vào nửa đầu 2017, nhiều khả năng sẽ dùng trong phiên bản cho thị trường US của Samsung Galaxy S8, ngoài ra với việc sử dụng tiến trình 10nm, chip xử lý sẽ nhỏ hơn, tiết kiệm điện hơn và cho hiệu năng tốt hơn.
 

Samsung còn cho biết thêm, chip Snapdragon 835 mới sẽ có kích thước nhỏ hơn 30%, tăng 27% hiệu năng, giảm 40% năng lượng tiêu thụ so với các chip 14nm hiện tại. Điều này cũng góp phần xác nhận sẽ không có Snapdragon 830 cho những thiết bị di động cao cấp, nhưng cũng có thể sau này Qualcomm sẽ ra mắt Snapdragon 830 như phiên bản cấp thấp của Snapdragon 835.

Và tất nhiên phía Samsung cũng sẽ dùng tiến trình 10nm cho dòng Exynos 8895 vào năm sau, nhưng Samsung chưa chính thức xác nhận điều này.

Snapdragon 835 còn có thế hệ sạc nhanh mới nhất là QuickCharge 4.0. Theo Qualcomm thì Quick Charge mói sẽ giúp tăng tốc độ sạc lên 20% so với đời trước, giảm nhiệt độ xuống 5 độ C. Đồng thời, Qualcomm cho biết công nghệ mới giúp Quick Charge 4.0 đạt được khả năng sạc 5 phút dùng 5 giờ. Khi sạc lâu hơn thì trong 15 phút sẽ được 50% pin, tất nhiên là chỉ với dung lượng pin thử nghiệm 2750mAh, thực tế sử dụng sẽ khác. Quick Charge 4 cũng hỗ trợ tốt tiêu chuẩn USB-C và USB Power Delivery.
 

Theo Techrum